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當(dāng)前位置:首頁   >  產(chǎn)品中心  >    >  CVD、PECVD設(shè)備  >  OTF-1200X-50-4CLV-PE4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

簡要描述:4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD), 內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,同時(shí)也可以延長儀器的使用壽命。

  • 產(chǎn)品型號:OTF-1200X-50-4CLV-PE
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-09-05
  • 訪  問  量:3146

詳細(xì)介紹

 4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

實(shí)驗(yàn)機(jī)理

  • 輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3

  • 電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 雖環(huán)境溫度在100-300℃,但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解,離解和離化,從而大大提高了反應(yīng)物的活性。因此,這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上,發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜。

  • 科晶公司提供定制的薄膜材料的實(shí)驗(yàn)室質(zhì)量可靠、價(jià)格合理的緊湊型PECVD系統(tǒng)。

  • 下圖顯示的是PECVD法用500W交流等離子體與OTF1200X50、7通道精密質(zhì)量流量計(jì)和高真空系統(tǒng)氣體組成

OTF-1200X開啟式管式爐,工作溫度高達(dá)1200℃

     化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的組成圖

開啟式管式爐

  • 工作溫度:1200℃

  • 爐管尺寸:Φ50,Φ60,Φ80都可用

  • 溫度控制器:30段高精度數(shù)字可編程溫度控制器

  • 加熱區(qū)長度:440mm

  • 恒溫區(qū)長度:150mm

  • 功率:AC 220V 4KW

等離子射頻電源                        

  • 輸出功率:50-500Wzui大可調(diào)±1%

  • RF頻率: 13.56MHz±0.005%穩(wěn)定可調(diào)

  • 噪聲:≤55DB

  • 冷卻:風(fēng)冷

  • 輸入功率:1KW  AC 220V

真空泵和閥門                          

  • 采用KF25系列波紋管和精密針閥連接

  • 真空度可達(dá)10-3torr

  • 數(shù)字真空壓力表可直觀的顯示數(shù)值

  • 可選:本公司進(jìn)口的防腐型數(shù)字式真空顯示計(jì),其測量范圍為3.8x10-5 1125 Torr. 不需因測量氣體種類不同而需要系數(shù)轉(zhuǎn)換。

質(zhì)量流量計(jì)

  • 內(nèi)部裝有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計(jì)可準(zhǔn)確的控制氣體流量

  • 氣體流量范圍為0-200 誤差為0.02%

  • 一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥

  • 不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動(dòng)控制混合氣體輸入

  • 進(jìn)氣口:采用標(biāo)準(zhǔn)雙卡套接頭

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)細(xì)節(jié)圖展示

外形尺寸

  • 爐體:550*380*520mm

  • 供氣及真空系統(tǒng):600*600*597mm

  • 凈重:120KG

操作視頻 多通道質(zhì)量控制高真空PECVD管式爐系統(tǒng)

質(zhì)保期

一年質(zhì)保期相關(guān)耗材除外,如加熱元件,密封圈等易耗件

質(zhì)量認(rèn)證

  CE認(rèn)證

國家

名稱:可組合式等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置

編號:ZL-2011-2-0355777.1

尊重創(chuàng)新、鄙視抄襲、侵權(quán)必究

 

 

 

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