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InP晶體基片

簡(jiǎn)要描述：磷化銦（InP）晶體基片

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間：2024-09-06
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：1443

詳細(xì)介紹


產(chǎn)品名稱(chēng)：

磷化銦(InP)晶體基片


技術(shù)參數(shù)：

單晶

InP

摻雜

None；Sn；S；Fe：Zn

硬度

3.0莫氏硬度

密度4.78 g/cm3

導(dǎo)電類(lèi)型

N；N；N；Si；P

折射率3.45

載流子濃度cm-3

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位錯(cuò)密度cm-2

<5x104

生長(zhǎng)方法

LEC

溫度1072℃

彈性模量

7.1E11dyn  Cm-2

產(chǎn)品規(guī)格：

標(biāo)準(zhǔn)尺寸：<100>, dia2"x0.5mm,單拋;

          <100>, 10x10x0.5mm,單拋；

表面粗糙度Ra：<15A

注：可按客戶(hù)需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋封裝


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