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GaSb晶體基片

簡要描述：銻化鎵（GaSb）晶體基片

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時間：2024-09-06
  • 訪  問  量：1115

詳細(xì)介紹


產(chǎn)品名稱：銻化鎵(GaSb)晶體基片
技術(shù)參數(shù)：

單晶：

GaSb

摻雜：

none；None, high R；Zn；Te；Te, high R

導(dǎo)電類型：

P   P-    P+    N

載流子濃度
cm-3  ：

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位錯密度
cm-2  ：

<103

生長方法及
zui大尺寸 ：

LEC ? 3"

產(chǎn)品規(guī)格：

標(biāo)準(zhǔn)尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 單拋，

表面粗糙度Ra:<15A              

可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝


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