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GaN薄膜

簡要描述：氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應生成GaCl，而這又與氨反應生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時間：2024-09-06
  • 訪  問  量：1341

詳細介紹


產(chǎn)品名稱：

氮化鎵(GaN)薄膜

產(chǎn)品簡介：

氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應生成GaCl，而這又與氨反應生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。




 技術參數(shù)：

常規(guī)尺寸

dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.

dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注：可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

產(chǎn)品定位C軸<0001>±1°
傳導類型N型；半絕緣型；P型
電阻率R<0.05 Ohm-cm；半絕緣型R>106 Ohm-cm
位錯密度<1x108 Cm-2
表面處理(鎵面)AS Grown
有效值<1nm
可用表面積

>90%

標準包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

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