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GaAs晶體基片

簡要描述：砷化鎵（GaAs）晶體基片

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時間：2024-09-06
  • 訪  問  量：1481

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

砷化鎵(GaAs)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

 單晶：

 砷化鎵(GaAs)

 摻雜：

 None；Si；Cr；Te；Zn

 導(dǎo)電類型：

 SI；N；Si；N；P

 載流子濃度cm-3：

 /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

 位錯密度cm-2：

 <5x105

 生長方法及zui大尺寸：

 LEC & HB ?3"


產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向：<100>、<110>、<111>；

晶向公差：±0.05°

常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

         dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

拋光情況：細(xì)磨、單拋、雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A


注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向


標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級超凈室100級超凈袋真空封裝或單片盒裝

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