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CdZnTe晶體基片

簡要描述：CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體，改變Zn的組分，其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào)，能與不同波段的HgCdTe晶格常數(shù)精確匹配。因此CdZnTe晶體是目前*的Z佳HgCdTe襯底。

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2024-09-06
  • 訪  問  量：1680

詳細(xì)介紹

 

產(chǎn)品名稱                       

Cd1-xZnxTe晶體基片

產(chǎn)品簡介：

CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體，改變Zn的組分，其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào)，能與不同波段的HgCdTe晶格常數(shù)精確匹配。因此CdZnTe晶體是目前*的*HgCdTe襯底。


產(chǎn)品特點(diǎn)：

  • 良好的導(dǎo)電性能；
  • 廣發(fā)可調(diào)和直接帶隙
  • 較高的吸收系數(shù)；
  • 與HgCdTe外延膜的晶格匹配性好；
  • 溫和的熱膨脹性；





技術(shù)參數(shù)：

晶體名稱Cd 1-x ZnxTe  
生長方法Bridgeman
結(jié)構(gòu) 立方
晶格常數(shù)(A)a=6.486
密度 ( g/cm3)

5.851 

熔點(diǎn) (oC)1045
熱容  (J /g.k)0.210
熱膨脹系數(shù)(10-6/K)5.0
類型P-型
組成y=4±0.5%
紅外透過率>60% (2um-25um)
腐蝕坑密度<1e5
X射線搖擺曲線半峰寬<30弧秒


產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向：<111> 或者<211>,B面，±0.5度

尺寸：15x15mm;15x20mm;20x20mm;

      20x25mm;25x30mm;30x30mm;

      厚度1mm。

注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

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